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型号 IPB80N03S4L-02
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-02 PDF
代理商 IPB80N03S4L-02
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.4 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9750pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
SP000273282
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